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Diodes
Advanced Technical Information
MKI 50-12F7
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
110
70
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 50 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 50 A; di F /dt = -500 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
2.2
1.6
40
200
2.6
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 2.05 V; R 0 = 35 m ?
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.3 V; R 0 = 6 m ?
R thJC
(per diode)
0.61 K/W
Thermal Response
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
M d
operating
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
-40...+125
-40...+150
-40...+125
2500
2.7 - 3.3
° C
° C
° C
V~
Nm
IGBT (typ.)
C th1 = 0.22 J/K; R th1 = 0.26 K/W
C th2 = 1.74 J/K; R th2 = 0.09 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = 0.151 J/K; R th1 = 0.483 K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th2 = 1.003 J/K; R th2 = 0.127 K/W
min. typ. max.
R pin-chip
5
m ?
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
pins 5, 6, 7, 8 and 15 for MWI only
? 2004 IXYS All rights reserved
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